Tétrachlorure de hafnium | Poudre HFCL4 | CAS 13499-05-3 | prix d'usine

Brève description:

Le tétrachlorure de hafnium a des applications importantes en tant que précurseur de l'oxyde de hafnium, catalyseur pour la synthèse organique, les applications nucléaires et le dépôt de couches minces, mettant en évidence sa polyvalence et son importance dans divers domaines technologiques.

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Détail du produit

Tags de produit

Description du produit

Brève introduction

Nom du produit: Tétrachlorure de hafnium
CAS No.: 13499-05-3
Formule composée: HFCL4
Poids moléculaire: 320,3
Apparence: poudre blanche

Spécification

Article	Spécification
Apparence	Poudre blanche
HFCL4 + ZRCL4	≥99,9%
Zr	≤200 ppm
Fe	≤40 ppm
Ti	≤20 ppm
Si	≤40 ppm
Mg	≤20 ppm
Cr	≤20 ppm
Ni	≤25 ppm
U	≤5 ppm
Al	≤60 ppm

Application

Précurseur de dioxyde de hafnium: Le tétrachlorure de hafnium est principalement utilisé comme précurseur pour produire du dioxyde de hafnium (HFO2), un matériau avec d'excellentes propriétés diélectriques. HFO2 est largement utilisé dans les applications diélectriques à haute teneur en K pour les transistors et les condensateurs de l'industrie des semi-conducteurs. HFCL4 est essentiel dans la fabrication de dispositifs électroniques avancés en raison de sa capacité à former des films minces de dioxyde de hafnium.
Catalyseur de synthèse organique: Le tétrachlorure de hafnium peut être utilisé comme catalyseur pour diverses réactions de synthèse organiques, en particulier la polymérisation de l'oléfine. Ses propriétés d'acide Lewis aident à former des intermédiaires actifs, améliorant ainsi l'efficacité des réactions chimiques. Cette application est précieuse dans la production de polymères et d'autres composés organiques dans l'industrie chimique.
Application nucléaire: En raison de sa section transversale à haute absorption des neutrons, le tétrachlorure de hafnium est largement utilisé dans les applications nucléaires, en particulier dans les tiges de contrôle des réacteurs nucléaires. Le hafnium peut absorber efficacement les neutrons, il s'agit donc d'un matériau approprié pour réguler le processus de fission, ce qui contribue à améliorer la sécurité et l'efficacité de la production d'énergie nucléaire.
Dépôt de couches minces: Le tétrachlorure de hafnium est utilisé dans les processus de dépôt chimique de vapeur (CVD) pour former des films minces de matériaux à base de hafnium. Ces films sont essentiels dans une variété d'applications, notamment la microélectronique, l'optique et les revêtements protecteurs. La possibilité de déposer des films uniformes et de haute qualité rend HFCL4 précieux dans les processus de fabrication avancés.