Tétrachlorure d'hafnium | Poudre de HfCl4 | CAS 13499-05-3 | Prix d'usine

Brève description :

Le tétrachlorure d'hafnium a des applications importantes en tant que précurseur de l'oxyde d'hafnium, catalyseur pour la synthèse organique, les applications nucléaires et le dépôt de couches minces, soulignant sa polyvalence et son importance dans divers domaines technologiques.

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Description du produit

Brève introduction

Nom du produit : Tétrachlorure d'hafnium
N° CAS : 13499-05-3
Formule du composé : HfCl4
Poids moléculaire : 320,3
Aspect : Poudre blanche

Spécification

Article	Spécification
Apparence	Poudre blanche
HfCl4+ZrCl4	≥ 99,9 %
Zr	≤ 200 ppm
Fe	≤ 40 ppm
Ti	≤ 20 ppm
Si	≤ 40 ppm
Mg	≤ 20 ppm
Cr	≤ 20 ppm
Ni	≤ 25 ppm
U	≤ 5 ppm
Al	≤ 60 ppm

Application

Précurseur du dioxyde d'hafniumLe tétrachlorure d'hafnium est principalement utilisé comme précurseur pour la production de dioxyde d'hafnium (HfO2), un matériau doté d'excellentes propriétés diélectriques. Le HfO2 est largement utilisé dans les applications diélectriques à haute constante diélectrique (K) pour les transistors et les condensateurs de l'industrie des semi-conducteurs. Le HfCl4 est essentiel à la fabrication de dispositifs électroniques avancés grâce à sa capacité à former des couches minces de dioxyde d'hafnium.
Catalyseur de synthèse organiqueLe tétrachlorure d'hafnium peut être utilisé comme catalyseur dans diverses réactions de synthèse organique, notamment la polymérisation des oléfines. Ses propriétés d'acide de Lewis favorisent la formation d'intermédiaires actifs, améliorant ainsi l'efficacité des réactions chimiques. Cette application est précieuse pour la production de polymères et d'autres composés organiques dans l'industrie chimique.
Application nucléaireGrâce à sa section efficace d'absorption neutronique élevée, le tétrachlorure d'hafnium est largement utilisé dans les applications nucléaires, notamment dans les barres de contrôle des réacteurs nucléaires. L'hafnium absorbe efficacement les neutrons, ce qui en fait un matériau idéal pour réguler le processus de fission, contribuant ainsi à améliorer la sûreté et l'efficacité de la production d'énergie nucléaire.
Dépôt de couches mincesLe tétrachlorure d'hafnium est utilisé dans les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour former des couches minces de matériaux à base d'hafnium. Ces couches sont essentielles dans de nombreuses applications, notamment la microélectronique, l'optique et les revêtements de protection. La possibilité de déposer des couches uniformes et de haute qualité confère au HfCl4 un intérêt précieux dans les procédés de fabrication avancés.